紫光蓋全球最大NAND廠 掀產能軍備競賽

【新唐人亞太台 2017 年 01 月 02 日訊】產業消息來看到,中國 紫光集團宣布,投入快閃記憶體戰場,在武漢興建全球規模最大廠房,總投資金額超過240億美元,這項消息引發產業界震撼。

紫光集團董事長 趙偉國 (2016.12.13):「我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經正式動工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那裏投資一個,也是一個超過兩百億美金芯片的工廠」

2016年12月,紫光集團趙偉國,布局半導體戰略,先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協議,要在四川打造百億雲計算中心。

12月30日,紫光宣布動工,興建三座全球最大3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠,地點選在武漢東湖高新區,占地1,968畝,投資金額240億美元,第一期計畫2018年建成啟用投產,2020年全部完工,月產能將達到30萬片,年產值超過100億美元。

紫光集團董事長 趙偉國 (2016.12.13):「來滿足中國本土市場,和國家戰略以及產業發展的需要。」

這項投資計畫,引發市場震撼,尤其是投資方面,結合紫光集團、中國國家集成電路大基金,還有地方政府共同出資,可說以國家戰略推動,結合市場企業運作的合作模式。

台經院產業顧問 劉佩真:「不過如果就中長期來看,中國在記憶體的一個市場,勢必會進行零到壹的突破,勢必會打破目前Nand Flash,由韓國日本跟美國業者寡佔的一個局面,其實都會帶來比較大的競爭壓力。」

全球快閃記憶體主要廠商,包括南韓三星、SK海力士,美國旗下英特爾、美光,以及日本東芝,產量各自約占四萬片到十萬片,近期不約而同喊話加碼擴廠,如今紫光也宣布2018年投產下,恐怕引發產能競賽,市場供過於求。

尤其紫光的下一步,恐怕將跨足DRAM製造,找來高啟全擔任重要高層幹部,預料對半導體業界人才挖角態勢,會更加明顯。

新唐人亞太電視 沈唯同 台灣台北報導

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