台日合作研發新世代電晶體 攻2奈米半導體製造

【新唐人亞太台 2021 年 03 月 09 日訊】台日之間在半導體技術上,展開合作,國研院下轄的台灣半導體研究中心,從2018年開始,就與日本產業技術總合研究所,共同開發低溫晶片鑑合技術,預計將用於2奈米以下半導體產品製造,更有助兩國在半導體發展上的領先優勢。

台日之間展開新的合作契機,日媒報導,台灣國研院旗下半導體研究中心(TSRI)與日本產業技術總合研究所(AIST),2018年開始,共同開發低溫晶片鍵合技術,台灣半導體研究中心,證實這項消息。

國家實驗研究院台灣半導體研究中心主任 葉文冠:「最主要是現在半導體,現在微縮到3奈米以下,對於2奈米之後的技術,大家都正在開發中,所以需要很多先進的製程,尤其是材料的整合,所以我們這一次提出,台灣半導體研究中心的製程技術,結合日本AIST的黏合技術,將可行的元件結構,發展在2奈米世代。」

這項技術是將矽(Si)和鍺(Ge)等不同溝道材料,從上下方堆疊,直接鍵合成一個基板,並應用在互補式電晶體元件上,而這個名為「CFET」 結構的新世代電晶體,具備性能高、面積小,有助製造 2 奈米以下線寬,規劃應用在 2024 年後的新一代先進半導體。。

日本產業技術總合研究所(AIST)表示,這個技術在世界上是首次,也規劃未來3年內,向民間企業轉讓技術,實現商用化。

國家實驗研究院台灣半導體研究中心主任 葉文冠:「所以未來不只是矽基板的材料,包含未來鍺(Ge),還有未來2維或者是更新的材料,可以利用這些整合技術,可以讓摩爾定律技術往下微縮,讓我們的半導體產業,藉由新的結構方式,繼續生存下去。」

台積電董事長劉德音就宣布,2奈米以下先進製程,可能採用環繞閘極(GAA)架構,今年2月份,台積電就以50億新台幣,前往日本設立子公司,投入3D IC材料研究,這回台日之間,兩大機構,傳出一同投入次世代技術開發,產業合作,可望更加緊密。

新唐人亞太電視 林秋霞 沈唯同 台灣新竹報導

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