台半導體廠資本支出年增75% 中芯負成長25％

【新唐人亞太台 2021 年 11 月 06 日訊】工研院指出，今年全球半導體主要地區的資本支出，以台灣年增七十五％增幅最大；中國因為受美國管制半導體設備的影響，中芯在先進製程設備取得難度增加，導致今年資本支出，是負成長25％，蓋廠速度追不上投資量產腳步，中國今年整體半導體資本支出，僅年增1%。

全球晶片荒，各大半導體廠都積極擴產，以今年全球各大半導體廠資本支出來看，台積電相較去年成長72%、聯電年成長142%、英特爾年成長37%，多家大廠資本支出都是大幅正成長，只有中芯國際年成長下滑25%，工研院分析可能是去年基期較高，還有美中科技戰影響。

工研院產科國際所資深分析師 劉美君：「美國對它(中芯)的管制，還是沒有放鬆太多。所以在今年看起來，它在先進設備的取得難度是增加的，也就是造成它的資本投資的一個，上升的一個成長率沒有像去年這麼多。」

大陸晶圓代工龍頭中芯，獲得中共政府大力補助，但中芯擴產只能以成熟製程為主。中芯在深圳、上海等地啟動擴產，預計斥資超過110億美元（約新台幣3,080億元），新產能2023年陸續開出。工研院分析指出，擴產所需設備需要美國許可，新廠能否順利量產還有變數，而擴產背後也有隱憂。

工研院工研院產科國際所產業分析師 黃慧修：「擴產的背後，我們看到是說，在未來產能，也有可能會產生一個供過於求的一個隱憂。台灣(晶圓代工)廠商，對於中國客戶在一個依賴度，是有在下降。華虹半導體跟中芯國際的部分，它們在中國本身的一個市佔，在中國本身晶圓代工的市占，是有在逐年的提升。」

港媒《南華早報》報導中芯發展現況，指出中芯人才大都來自台灣，鎖定台積電為挖角目標。報導認為，中芯國際無法獲得 EUV 技術，意味著無法生產更先進的晶圓，想要追趕台積電難上加難。

新唐人亞太電視 綜合報導