台日合作研發新世代電晶體 攻2奈米半導體製造

【新唐人亞太台 2021 年 03 月 09 日訊】台日之間在半導體技術上，展開合作，國研院下轄的台灣半導體研究中心，從2018年開始，就與日本產業技術總合研究所，共同開發低溫晶片鑑合技術，預計將用於2奈米以下半導體產品製造，更有助兩國在半導體發展上的領先優勢。

台日之間展開新的合作契機，日媒報導，台灣國研院旗下半導體研究中心（TSRI）與日本產業技術總合研究所（AIST），2018年開始，共同開發低溫晶片鍵合技術，台灣半導體研究中心，證實這項消息。

國家實驗研究院台灣半導體研究中心主任 葉文冠：「最主要是現在半導體，現在微縮到3奈米以下，對於2奈米之後的技術，大家都正在開發中，所以需要很多先進的製程，尤其是材料的整合，所以我們這一次提出，台灣半導體研究中心的製程技術，結合日本AIST的黏合技術，將可行的元件結構，發展在2奈米世代。」

這項技術是將矽（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料，從上下方堆疊，直接鍵合成一個基板，並應用在互補式電晶體元件上，而這個名為「CFET」 結構的新世代電晶體，具備性能高、面積小，有助製造 2 奈米以下線寬，規劃應用在 2024 年後的新一代先進半導體。。

日本產業技術總合研究所(AIST)表示，這個技術在世界上是首次，也規劃未來3年內，向民間企業轉讓技術，實現商用化。

國家實驗研究院台灣半導體研究中心主任 葉文冠：「所以未來不只是矽基板的材料，包含未來鍺（Ge），還有未來2維或者是更新的材料，可以利用這些整合技術，可以讓摩爾定律技術往下微縮，讓我們的半導體產業，藉由新的結構方式，繼續生存下去。」

台積電董事長劉德音就宣布，2奈米以下先進製程，可能採用環繞閘極（GAA）架構，今年2月份，台積電就以50億新台幣，前往日本設立子公司，投入3D IC材料研究，這回台日之間，兩大機構，傳出一同投入次世代技術開發，產業合作，可望更加緊密。

新唐人亞太電視 林秋霞 沈唯同 台灣新竹報導